-
1 отвод основных носителей заряда
Microelectronics: majority-carrier drainУниверсальный русско-английский словарь > отвод основных носителей заряда
-
2 поток основных носителей заряда
Electronics: carrier primary flowУниверсальный русско-английский словарь > поток основных носителей заряда
-
3 инжекция основных носителей заряда
nmicroel. Majoritätsladungsträgerinjektion, MajoritätsträgerinjektionУниверсальный русско-немецкий словарь > инжекция основных носителей заряда
-
4 поток основных носителей заряда
nmicroel. MajoritätsladungsträgerstromУниверсальный русско-немецкий словарь > поток основных носителей заряда
-
5 эмиттер основных носителей заряда
nradio. émetteur majoritaireDictionnaire russe-français universel > эмиттер основных носителей заряда
-
6 отвод основных носителей заряда
Русско-английский словарь по микроэлектронике > отвод основных носителей заряда
-
7 концентрация основных носителей
nУниверсальный русско-немецкий словарь > концентрация основных носителей
-
8 поток основных носителей
Универсальный русско-немецкий словарь > поток основных носителей
-
9 ток основных носителей
nelectr. Majoritätsträgerstrom (заряда)Универсальный русско-немецкий словарь > ток основных носителей
-
10 экстракция основных носителей
nmicroel. Majoritätsträgerextraktion (заряда)Универсальный русско-немецкий словарь > экстракция основных носителей
-
11 эмиттер основных носителей
Dictionnaire russe-français universel > эмиттер основных носителей
-
12 поток
поток м. нейтронов яд. Neutronendiffusionsstrom m; Neutronenfluß m; Neutronenflußdichte f; Neutronenstrom mпоток м. частиц Korpuskelstrom m; Korpuskularfluß m; Partikelstrom m; Teilchenfluß m; яд. Teilchenstrom mпоток м. электрического смещения Verschiebungsfluß m; Verschiebungsstrom m; elektrischer Verschiebungsfluß m; elektrischer Verschiebungsstrom m -
13 полевой транзистор
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.
Устройство полевого транзистораАнгло-русский словарь по нанотехнологиям > полевой транзистор
-
14 FET
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистора -
15 полевой транзистор
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистораRussian-English dictionary of Nanotechnology > полевой транзистор
-
16 FET
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистора -
17 дрейф
дрейф м. мор. изм.,суд. Abdrift f; мор. Abtrieb m; изм. мор. Abtrift f; изм. Abwanderung f; Derivation f; мор. Drift f; Treiben n; Trift f; Wandern n; Wanderung f -
18 carrier primary flow
Электроника: поток основных носителей заряда -
19 majority-carrier drain
Микроэлектроника: отвод основных носителей зарядаУниверсальный англо-русский словарь > majority-carrier drain
-
20 émetteur de porteurs majoritaires
Dictionnaire polytechnique Français-Russe > émetteur de porteurs majoritaires
См. также в других словарях:
ток основных носителей заряда — pagrindinių krūvininkų srovė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. majority charge carrier current; majority carrier current vok. Majoritätsträgerstrom, m rus. ток основных носителей, m; ток основных носителей заряда, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
ток основных носителей — pagrindinių krūvininkų srovė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. majority charge carrier current; majority carrier current vok. Majoritätsträgerstrom, m rus. ток основных носителей, m; ток основных носителей заряда, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Подвижность носителей заряда — 15. Подвижность носителей заряда Подвижность Отношение средней установившейся скорости перемещения носителей заряда в направлении электрического поля к напряженности последнего Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Инжекция носителей заряда — 45. Инжекция носителей заряда Инжекция Введение носителя заряда в полупроводник Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Экстракция носителей заряда — 46. Экстракция носителей заряда Экстракция Выведение носителя заряда из полупроводника Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника — 28. Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника Избыточная концентрация Избыток концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике над концентрацией равновесных носителей заряда Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника — 38. Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника Скорость поверхностной рекомбинации Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника — 33. Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника Диффузионная длина Расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника — 37. Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника Длина дрейфа Средняя длина переноса неравновесных носителей заряда в полупроводнике электрическим полем за время, прошедшее с момента их возбуждения до рекомбинации Источник: ГОСТ… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника — 27. Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника Неравновесная концентрация Концентрация носителей заряда в полупроводнике, отличная от равновесной Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Коэффициент диффузии носителей заряда — 18. Коэффициент диффузии носителей заряда Отношение плотности потока подвижных носителей заряда одного типа к градиенту их концентрации в отсутствие электрического и магнитного полей Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
